IBM и Samsung представили новую конструкцию полупроводникового чипа, позволяющего сократить потребление смартфоном электроэнергии, пишет Голос со ссылкой на Hightech.fm.
Прорывная архитектура предусматривает, что транзисторы встроены в чип таким образом, чтобы пропускать вертикальный ток. А значит, устройство становится более компактным. Так можно создать смартфон, который работает неделями без подзарядки.
По идее инженеров, новый способ заключается в вертикальном расположении транзисторов в чипах вместо привычного горизонтального. Разработчики считают, что технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) придет на смену существующей FinFET. В данном случае электроэнергия подается вертикально, что заметно оптимизирует ее распределение по компонентам чипов.
По результатам эксперимента специалисты подтвердили, что новый подход помогает сократить потребление электроэнергии. Представители компании отметили, что планируют в два раза улучшить производительность или сократить потребление энергии на 85% по сравнению с технологией FinFET.
Также благодаря VTFET можно обойти ограничения, налагаемые законом Мура — это наблюдение, согласно которому количество транзисторов удваивается каждые 24 месяца.
По словам компаний, благодаря VTFET-технологии появятся аккумуляторы для смартфонов, которые смогут работать на одной зарядке не один день, а неделю, и будут менее затратными в задачах вроде криптомайнинга и шифрования данных. Также технология откроет путь к созданию более мощных IoT-устройств и даже космических аппаратов.
&
Спасибі за Вашу активність, Ваше питання буде розглянуто модераторами найближчим часом
