Дослідники з університету Вісконсіна розвинули новий метод виготовлення надзвичайно тонких напівпровідникових плівок і чипів на їх основі.
В основі процесу — акуратне відділення від напівпровідникової основи шару завтовшки всього кілька сотень нанометрів. Цей шар учені навчилися без пошкоджень переносити на іншу основу — тонкі полімерні плівки, скло тощо.
Розроблений процес дозволяє створювати мікросхеми на кожній з двох поверхонь такої відокремленої плівки, а крім того наносити кілька таких плівок послідовно — одну на іншу, що, по ідеї, дозволить створювати тонкі і гнучкі багатошарові мікросхеми з подвоєним, збільшеним учетверо і ще більшим числом елементів на квадратному сантиметрі, повідомляє «Мембрана».
При цьому плівки ці (монокристали кремнію або кремнію з германієм) створюються у вигляді натягнутих мембран і, як пояснюють дослідники, напруга ця впливає на кристалічні решітки, дозволяючи наростити швидкість чипа, при низькому енергоспоживанні.
Про застосування таких гнучких, тонких, порівняно потужних і з низькою витратою енергії чипів і говорити не доводиться: можливих сфер техніки тут — десятки.
Спасибі за Вашу активність, Ваше питання буде розглянуто модераторами найближчим часом