Исследователи из университета Висконсина развили новый метод изготовления необычайно тонких полупроводниковых плёнок и чипов на их основе.
В основе процесса— аккуратное отделение от полупроводниковой основы слоя толщиной всего в несколько сотен нанометров. Этот слой учёные научились без повреждений переносить на другую основу— тонкие полимерные плёнки, стекло и так далее.
Разработанный процесс позволяет создавать микросхемы на каждой из двух поверхностей такой отделённой плёнки, а кроме того, наносить несколько таких плёнок последовательно— одну на другую, что, по идее, позволит создавать тонкие и гибкие многослойные микросхемы с удвоенным, учетверённым и ещё большим числом элементов на квадратном сантиметре, передает «Мембрана».
При этом плёнки эти (монокристаллы кремния или кремния с германием) создаются в виде натянутых мембран и, как объясняют исследователи, напряжение это влияет на кристаллическую решётку, позволяя нарастить скорость чипа, при низком энергопотреблении.
О применениях таких гибких, тонких, сравнительно мощных и с низким расходом энергии чипов и говорить не приходится— возможных областей техники тут— десятки.
